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石英晶體振蕩器
- 編號(hào)：72400756
- 頻率：1.544~160MHz
- 尺寸：5.2*3.4*1.1mm
CRYSTEK晶振,CUSO32xx晶振,時(shí)鐘晶體振蕩器
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)3.3V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕...
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CRYSTEK晶振,CUSO32xx晶振,時(shí)鐘晶體振蕩器.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).TXC,NDK,希華.jpg)
CrystekCorporation®自1958年以來(lái)一直提供頻率產(chǎn)品,包括石英晶體,XO（時(shí)鐘振蕩器）,TCXO（溫補(bǔ)晶體振蕩器）,VCO（電壓控制振蕩器）和VCXO（電壓控制晶體振蕩器）.Crystek設(shè)有兩個(gè)專門負(fù)責(zé)頻率控制的部門.Crystek Crystals致力于使用基于石英的諧振器開發(fā)和制造頻率產(chǎn)品.Crystek Microwave為微波行業(yè)開發(fā)頻率控制和支持產(chǎn)品.其他產(chǎn)品包括:PLL（鎖相環(huán)）合成器,RedBox VCO, DC模塊,無(wú)源倍增器,RFPRO（口袋參考振蕩器）,連接放大器,VCO評(píng)估板,RF實(shí)驗(yàn)套件,基于SAW的時(shí)鐘振蕩器和VCXO,以及功率調(diào)節(jié)器.
格發(fā)TXC,NDK,希華.jpg)
| 晶振項(xiàng)目 | 符號(hào) | 產(chǎn)品規(guī)格 |
|---|---|---|
| 標(biāo)稱頻率 | f_nom | 1.544~160MHz |
| 頻率穩(wěn)定度 | ppm | ±25ppm~±100ppm |
| 輸出條件 | HCMOS | |
| 電源電壓 | Vcc | +5.0V |
| 負(fù)載電容 | CL | 15pF |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 70kΩ Max. |
| 絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平 | DLmax. | 0.5μW Max. |
| 驅(qū)動(dòng)電平 | DL | 0.1μW typ. |
| 并聯(lián)電容 | C 0 | 1.0pF typ. |
| 頻率老齡化 | f_age | ±3x 10-6/Year |
| 工作溫度 | T_use |
0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
| 儲(chǔ)藏溫度 | T_stg | −45℃~+120℃ |
TXC,NDK,希華.jpg)
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些OSC晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.
正常溫度和濕度:
溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）.
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
CRYSTEK晶振集團(tuán)將確保其石英晶體振蕩器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
CRYSTEK集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.
CRYSTEK晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
CRYSTEK集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.
CRYSTEK晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
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