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首頁(yè)行業(yè)博客 X1G005601012400可編程振蕩器專(zhuān)用于GPS定位器

X1G005601012400可編程振蕩器專(zhuān)用于GPS定位器

來(lái)源：http://m.mxsir.cn 作者：ciwa 2022年09月26
X1G005601012400可編程振蕩器專(zhuān)用于GPS定位器，愛(ài)普生公司自成立以來(lái)，一直處于技術(shù)的最前沿位置，作為一個(gè)領(lǐng)先者，不斷創(chuàng)造，不斷打造自身而有強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，開(kāi)發(fā)了高性能的有源晶振，石英晶體振蕩器，貼片晶振等產(chǎn)品，具備超高的穩(wěn)定性能以及耐壓性能，其中所生產(chǎn)的這款SG-8018CG晶振，編碼X1G005601012400，頻率20.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類(lèi)型可編程時(shí)鐘OSC，愛(ài)普生的SG-8018系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。而這個(gè)系列提供了相同的頻率和其他參數(shù)的簡(jiǎn)單可編程性比較早SG-8002/SG-8003系列，它們還具有更寬的工作溫度范圍，最高極限為105°C，用于GPS定位器，5G模塊，藍(lán)牙音響等領(lǐng)域。

X1G005601012400可編程振蕩器專(zhuān)用于GPS定位器，石英晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性，它是決定振蕩器價(jià)格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬，器件的價(jià)格亦愈高。工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的-40～+75℃這個(gè)范圍往往只是出于設(shè)計(jì)者們的習(xí)慣，倘若-30～+70℃已經(jīng)夠用，那么就不必去追求更寬的溫度范圍。設(shè)計(jì)工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實(shí)際需要，然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度。指標(biāo)過(guò)高意味著花錢(qián)愈多。
Product Number 進(jìn)口晶振 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005601011100 SG-8018CG 63.055823 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601011200 SG-8018CG 42.669354 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601012200 SG-8018CG 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601012300 SG-8018CG 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601012400 SG-8018CG 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601012900 SG-8018CG 12.568000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013000 SG-8018CG 6.940000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013100 SG-8018CG 3.072000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013200 SG-8018CG 6.780000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013300 SG-8018CG 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013400 SG-8018CG 27.120000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013500 SG-8018CG 4.096000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013600 SG-8018CG 54.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601013900 SG-8018CG 7.372800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014000 SG-8018CG 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014100 SG-8018CG 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014200 SG-8018CG 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014300 SG-8018CG 14.318180 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014400 SG-8018CG 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014500 SG-8018CG 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601014600 SG-8018CG 49.152000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素。根據(jù)目標(biāo)產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同，有多種方法可以減弱這種影響。晶體晶振老化會(huì)使輸出頻率按照對(duì)數(shù)曲線發(fā)生變化，也就是說(shuō)在產(chǎn)品使用的第一年，這種現(xiàn)象才最為顯著。例如，使用10年以上的晶體，其老化速度大約是第一年的3倍。采用特殊的晶體加工工藝可以改善這種情況，也可以采用調(diào)節(jié)的辦法解決，比如，可以在控制引腳上施加電壓(即增加電壓控制功能)等。

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32.768KHZ晶振,DST210AKDS晶振,KDS晶振32.768KDST310S,石英晶體振蕩器DSB211SDTKDS晶振,KDS晶振DSX221S,KDS晶振DSX321SH,KDS晶振DSX321G,DMX-26SKDS晶振,32.768KHZ晶振,MC-146愛(ài)普生晶振,MC-306愛(ài)普生晶振,FC-135愛(ài)普生晶振,FC-12D愛(ài)普生晶振,TSX-3225愛(ài)普生晶振,FA-20H愛(ài)普生晶振,FA-118T愛(ài)普生晶振,FA-238V愛(ài)普生晶振,SA324CTS晶振,石英晶體振蕩器CTS晶振,石英晶體振蕩器CB2V5CTS晶振,溫補(bǔ)晶振Model585CTS晶振,溫補(bǔ)晶振DSB221SDNKDS晶振,溫補(bǔ)晶振7LTXC晶振,;
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