愛普生推出用于通信設(shè)備的1.62-3.63V有源晶體振蕩器X1G005601023400
來(lái)源:http://m.mxsir.cn 作者:isu 2022年09月01
愛普生推出用于通信設(shè)備的1.62-3.63V有源晶體振蕩器X1G005601023400,隨著電子產(chǎn)品的盛行,在眾多配件中晶振產(chǎn)品同樣得到廣大用戶的持續(xù)關(guān)注,當(dāng)時(shí)鐘,通信設(shè)備等領(lǐng)域頻頻出現(xiàn)石英晶體振蕩器的蹤跡,也引起了我們的好奇與關(guān)注,這不禁讓人想著,這是什么怎樣的一顆晶振呢,它有著怎樣的特征與屬性,為何能夠快速入侵于各種電子產(chǎn)品,并且在電子產(chǎn)品中它發(fā)揮怎樣的作用,以及聯(lián)系,這是都是需要我們細(xì)心觀察,小心求證的結(jié)果,石英晶體振蕩器了不起的作用值得我們一探究竟。

愛普生推出用于通信設(shè)備的1.62-3.63V有源晶體振蕩器X1G005601023400,石英晶體振蕩器就是我們俗稱的有源晶振,是一種由石英晶體(二氧化硅晶體)的壓電效應(yīng)制成的諧振器件。 其基本結(jié)構(gòu)如下:在一定方位角(稱為晶圓,可以是方形,矩形或圓形)切片一塊石英晶體,并將其涂在兩個(gè)相應(yīng)的表面上。 銀層作為電極,每個(gè)電極上焊接一根引線連接到引腳,并加入封裝殼體,形成石英晶體諧振器,簡(jiǎn)稱石英晶體或晶體,簡(jiǎn)稱晶體振蕩器。 由IC構(gòu)成的振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。 其產(chǎn)品通常包裝在金屬外殼中,也可以包裝在玻璃外殼,陶瓷或塑料中。
石英晶體振蕩器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器,被廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類 振蕩電路中,以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供 基準(zhǔn)信號(hào)。
愛普生推出用于通信設(shè)備的1.62-3.63V有源晶體振蕩器X1G005601023400,石英晶體振蕩器就是我們俗稱的有源晶振,是一種由石英晶體(二氧化硅晶體)的壓電效應(yīng)制成的諧振器件。 其基本結(jié)構(gòu)如下:在一定方位角(稱為晶圓,可以是方形,矩形或圓形)切片一塊石英晶體,并將其涂在兩個(gè)相應(yīng)的表面上。 銀層作為電極,每個(gè)電極上焊接一根引線連接到引腳,并加入封裝殼體,形成石英晶體諧振器,簡(jiǎn)稱石英晶體或晶體,簡(jiǎn)稱晶體振蕩器。 由IC構(gòu)成的振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。 其產(chǎn)品通常包裝在金屬外殼中,也可以包裝在玻璃外殼,陶瓷或塑料中。
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| X1G005601021600 | SG-8018CG | 5.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601021700 | SG-8018CG | 4.410000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601022200 | SG-8018CG | 22.956600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005601022300 | SG-8018CG | 78.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
| X1G005601022400 | SG-8018CG | 16.777216 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601022500 | SG-8018CG | 12.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601022600 | SG-8018CG | 12.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601022700 | SG-8018CG | 11.059200 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023200 | SG-8018CG | 36.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005601023300 | SG-8018CG | 18.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023400 | SG-8018CG | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023500 | SG-8018CG | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005601023600 | SG-8018CG | 5.529600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023700 | SG-8018CG | 16.934000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023800 | SG-8018CG | 3.580000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601023900 | SG-8018CG | 2.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601024000 | SG-8018CG | 16.934000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005601024100 | SG-8018CG | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005601024200 | SG-8018CG | 23.040000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005601024300 | SG-8018CG | 46.080000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
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