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    TXC晶振,TXC石英晶體振蕩器,HC-49S插件晶振

  • 編號(hào):1262105
  • 頻率:3.2~90.0MHZ
  • 尺寸:11.5*5.0MHZ
  • RoHS
  • RoHS2
HC-49S插件晶振,TXC無源晶振,U盤專用晶振,根本的解決方案,LVDS輸出,輸出頻率50兆赫到200兆赫,拉力范圍寬,線性度好,低相位噪聲、低抖動(dòng)、三態(tài)函數(shù),應(yīng)用程序:SDH/SONET、以太網(wǎng)、基站,通過無鉛認(rèn)證/Pb免費(fèi).TXC公司是一家...
      HC-49S插件晶振,TXC無源晶振,U盤專用晶振,根本的解決方案,LVDS輸出,輸出頻率50兆赫到200兆赫,拉力范圍寬,線性度好,低相位噪聲、低抖動(dòng)、三態(tài)函數(shù),應(yīng)用程序:SDH / SONET、以太網(wǎng)、基站,通過無鉛認(rèn)證/ Pb免費(fèi).

   TXC公司是一家專業(yè)頻率控制產(chǎn)品制造商致力于研究、設(shè)計(jì)、制造、和銷售插件(DIP)和表面安裝設(shè)備(SMD)石英晶體振蕩器產(chǎn)品.
TXC目前專門從事這些類別的產(chǎn)品:
   晶體(32.768 khz,基本MHz,高精度兆赫,汽車級(jí))
   振蕩器(32.768 khz,CMOS、硅MEMS、微分輸出,看到汽車級(jí))
   VCXO(CMOS差分輸出)
   TCXO(基本、GPS、精密)
   OCXO(CMOS)




    近來由于污染排放總量管制受到應(yīng)有重視,各種污染減量與管理機(jī)制的議題已陸續(xù)成為主管機(jī)關(guān)與企業(yè)間執(zhí)行污染防制的重點(diǎn),而TXC電子本身由于受到環(huán)保機(jī)關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規(guī)劃相關(guān)減量目標(biāo),全力保護(hù)有限的地球資源與環(huán)境.有鑒于環(huán)保意識(shí)抬頭,TXC電子多年來在環(huán)保工作上持續(xù)努力,期望藉由環(huán)境管理、自發(fā)且持續(xù)的改善,達(dá)到改善環(huán)境、減少環(huán)境沖擊的實(shí)質(zhì)目的.本公司于2002年6月開始推行ISO 14001環(huán)境管理系統(tǒng),持續(xù)改善整體環(huán)境并有助提高經(jīng)營績效,同時(shí)強(qiáng)化內(nèi)外銷競爭力與提升公司形象.我們承諾將會(huì)持續(xù)維護(hù)ISO 14001環(huán)境管理和可能污染環(huán)境的因素,善盡社會(huì)責(zé)任.

   石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負(fù)電場時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負(fù)電場及正電場時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場,硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場強(qiáng)度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.



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