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CTS晶振5G產(chǎn)品家族

來源：http://konuaer.net 作者：康華爾電子 2023年08月31


CTS晶振5G產(chǎn)品家族
CTS通過其超低噪聲精密計(jì)時(shí)設(shè)備和RF陶瓷濾波器的高性能產(chǎn)品線支持5G基礎(chǔ)設(shè)施，支持6GHz以下和毫米波無線基礎(chǔ)設(shè)施。CTS的5G產(chǎn)品石英晶體振蕩器，組合旨在符合并支持網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)在高頻下運(yùn)行的更寬帶寬和傳輸速率的嚴(yán)格性能和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，為5G mass MIMO基站、小型蜂窩和mmWave 5G混合波束形成基站等應(yīng)用供電。

5G覆蓋和對(duì)Excel帶寬的支持


CTS晶振5G產(chǎn)品家族
面向5G網(wǎng)絡(luò)的CTS精確定時(shí)設(shè)備利用低噪聲頻率合成技術(shù)來清除系統(tǒng)噪聲，并將低頻乘以高頻，使我們的技術(shù)適合高傳輸速率。我們的嵌入式ASIC解決方案和高Q晶體技術(shù)提供優(yōu)化的信噪比，從而產(chǎn)生用于數(shù)據(jù)、語音和視頻傳輸?shù)木_、干凈的信號(hào)。
5G資源，精確定時(shí)–5G毫米波(NR)系統(tǒng)和噪聲考慮
隨著下一代通信系統(tǒng)帶寬更高、速度更快，系統(tǒng)噪聲和時(shí)序面臨新的挑戰(zhàn)。這份名為《5G毫米波(NR)系統(tǒng)和噪聲考慮》的白皮書提供了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)所需的深入研究和解決方案。回顧解決5G毫米波新無線電系統(tǒng)的關(guān)鍵考慮因素、5G系統(tǒng)噪聲要求、頻率參考源如何影響噪聲水平等。
 
CTS貼片石英晶振頻率控制產(chǎn)品| 5G應(yīng)用
CTS面向5G網(wǎng)絡(luò)的精密計(jì)時(shí)設(shè)備產(chǎn)品組合旨在符合和支持更高帶寬的嚴(yán)格性能和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
高頻下的傳輸速率。
5G毫米波(NR)系統(tǒng)和噪聲考慮提供深入的考慮和解決方案你需要解決這些挑戰(zhàn)。它包括:
5G毫米波(NR)系統(tǒng)和噪聲考慮
隨著下一代通信系統(tǒng)的更高帶寬和更快速度的到來
系統(tǒng)噪聲和時(shí)序的新挑戰(zhàn)。
有源晶振解決5G毫米波系統(tǒng)的關(guān)鍵考慮因素。
5G系統(tǒng)噪聲要求。
頻率參考源如何影響噪聲水平。
EVM和振蕩器噪聲的比例貢獻(xiàn)。
相位噪聲與EVM的實(shí)際例子等等。

5G產(chǎn)品 TCXO家族：


合成器系列


OCXO系列



石英晶體振蕩器 品牌 型號(hào) 頻率 頻率穩(wěn)定度 包裝/封裝
CB3LV-3C-25M0000 CTS晶振 CB3LV 25MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-50M0000 CTS晶振 CB3LV 50MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-50M0000 CTS晶振 CB3LV 50MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-30M0000 CTS晶振 CB3LV 30MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-20M0000 CTS晶振 CB3LV 20MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-4M0000 CTS晶振 CB3LV 4MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-12M2880 CTS晶振 CB3LV 12.288MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-20M0000 CTS晶振 CB3LV 20MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-25M0000 CTS晶振 CB3LV 25MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-48M0000 CTS晶振 CB3LV 48MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-24M0000 CTS晶振 CB3LV 24MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-8M0000 CTS晶振 CB3LV 8MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-8M1920 CTS晶振 CB3LV 8.192MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-40M0000 CTS晶振 CB3LV 40MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-12M0000 CTS晶振 CB3LV 12MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-24M0000 進(jìn)口晶振 CB3LV 24MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-10M0000 CTS晶振 CB3LV 10MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-8M0000 CTS晶振 CB3LV 8MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-10M0000 CTS晶振 CB3LV 10MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-12M0000 CTS晶振 CB3LV 12MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-29M4912 CTS晶振 CB3LV 29.4912MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-30M0000 CTS晶振 CB3LV 30MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-48M0000 CTS晶振 CB3LV 48MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-60M0000 CTS晶振 CB3LV 60MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-27M0000 CTS晶振 CB3LV 27MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-1M5440 CTS晶振 CB3LV 1.544MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-32M0000 CTS晶振 CB3LV 32MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-33M3330 CTS晶振 CB3LV 33.333MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3C-45M0000 CTS晶振 CB3LV 45MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-18M4320 CTS晶振 CB3LV 18.432MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-33M0000 CTS晶振 CB3LV 33MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-24M5760 CTS晶振 CB3LV 24.576MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-60M0000 CTS晶振 CB3LV 60MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead
CB3LV-3I-3M579545 CTS晶振 CB3LV 3.579545MHz ±50ppm 4-SMD, No Lead





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